Micron Technology, Inc. (美光科技股份有限公司) 近日宣布采用1z纳米制程的DDR5寄存型DIMM (RDIMM) 已开始出样。DDR5 是迄今为止技术上最为先进的DRAM,其内存性能提升至少85%,从而应对下一代服务器负载。如今数据中心的系统架构正在提供日益增多的处理器核心数、以及更大的内存带宽与容量,而 DDR5 使内存密度翻倍,并同时提升可靠性。

“几乎所有应用环境的数据都在激增,数据中心从负载的工作中挖掘价值的挑战越来越大,” 美光科技计算和网络产品事业部高级副总裁兼总经理 Tom Eby 表示,“更高性能、更高密度和更优质的内存是应对这些负载的关键所在。美光出样 DDR5 RDIMM 是一项重大进展,帮助业界进一步提升了下一代以数据为核心的应用价值。”

快速增多的数据集和计算密集型应用环境产生了更高要求的工作负载,进而带来处理器核心数的增长,但目前的 DRAM 技术无法满足带宽需求。相较于 DDR4,DDR5 性能提升逾 1.85 倍。DDR5 还实现了现代数据中心所需要的可靠性、可用性和可服务性 (RAS)。

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