回顾

早在2018年全球存储半导体大会暨全球闪存技术峰会期间,百易传媒(DOIT)特别制作了2018存储芯图,旨在帮助大家全面了解存储半导体及闪存企业和产业生态。

2018存储芯图发布以来,我们得到了许多关注,其中存在的勘误和错误也逃不过专家的眼睛,因此也收获了一些修改意见和批评建议。

有鉴于此,2021年存储芯图上线之前,希望得到大家的反馈和回应,希望能呈现更准确,更有参考价值的存储芯图。

在上周发布了修改招募意见以来,我们收到了几十余条修改意见,包括关于:铠侠电子、英韧科技、江苏华存电子的相关更新信息,修改意见持续征集中,希望能收到更多反馈和关注。

2021年7月29日-30日,2021全球闪存峰会即将在杭州国际博览中心举办,2021存储芯图将重新登场,以全新面貌示人。

回顾旧版2018存储芯图包括半导体材料、芯片设计、芯片制造、封装测试、控制器、SSD/存储模块、闪存存储系统七个部分,作为关注存储领域的专业媒体,我们将重心放在闪存本身。

在2018年全球存储半导体大会暨全球闪存技术峰会期间,话题的重点也集中在闪存控制器以及SSD/存储模块以及闪存存储这三大部分,对于芯片设计和芯片制造以及封装部分的话题涉及较少。

但从闪存半导体芯片产业整体来看,单独只说其中一部分仍有所欠缺。

因此,2021年的存储芯图将继续保留芯片设计和芯片制造的部分,过去几年发展中,中国的芯片设计和制造能力也有了可见的提升,除SSD控制器以外,在NAND市场中也有了一席之地。

2018年旧版芯图回顾

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2021年存储芯图将包括芯片设计、芯片制造、闪存介质(包括NAND以及非NAND类的创新介质)、SSD控制器、SSD/存储模块(包括存算一体化和可计算型存储)以及全闪存存储系统六大部分。

欢迎提出修改和补充意见,您可点击或扫描二维码来反馈内容,感谢您的参与!您的反馈最终结果将在7月29-30日举办的2021全球闪存峰会期间体现!

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